実現間近(?)のコンピュータ高性能化技術

何のめぐり合わせか、日経サイエンス2010年08号の「NEWS SCAN」で、コンピュータの高性能化に繋がる近未来の技術が３つも取り上げられていました。半導体産業の端っこに住まう身として、まとめて紹介します(括弧内は元記事のタイトルです)。

1. 高速動作の不揮発性メモリ（ReRAMデビューへ一歩） 
2. 高密度記録の光ディスク（光で金属と半導体を行き来する) 
3. 低熱損失のトランジスタ（接合なしの新トランジスタ）

1. 高速動作の不揮発性メモリ（ReRAMデビューへ一歩）

確かにDRAMなみの高速動作が可能な不揮発メモリができれば、省電力化できますね。安くて高速なのは揮発性メモリ、という常識(?)を疑ったことはなく、盲点でした。
記事中でもWikipediaのReRAMの項にも書かれていますが、シャープ/サムスン/インテル/富士通などが実用化向けて研究中です。モバイル端末にとっては朗報ですね。

2. 高密度記録の光ディスク（光で金属と半導体を行き来する)

記録密度はブルーレイディスクの360倍だそうですが、面白いのはその表面積と体積の関係からくる仕組みです。
物質の表面と内部とでは原子の振る舞いが異なります。通常は表面の原子量は内部の原子量に比べれば微々たるもので、無視できます。しかし直径が10nmを切ると、10%程度の原子が表面に出てきて物質の結晶構造が変わってしまいます。それで今までになかった、光を当てる毎に金属半導体になったりするやつが出てきたようです。

3. 低熱損失のトランジスタ（接合なしの新トランジスタ）

トランジスタのサンドイッチ構造が微細化限界にきているので、サンドイッチ構造はやめて１種類のドープ半導体だけを使ってトランジスタを作るという話です。低電圧で動作し、熱損失も少なく、動作速度も速いと良いことづくめです。
さらに、既存の半導体プロセスを利用出来るということで、ムーアの法則が復活するかもしれませんね。